Für die dimensionierung der Kühlkörper muß man erst man die Verlustleistung abschätzen:
Die Last soll 12 V 8 A sein, kurzzeitig mehr interessiert hier erst mal nicht.

Bei 0.02 Ohm und 8 A gibt das ca. 0.16 V und 1,28 W wenn der FET leitet.
Wenn die Diode leitet hat an eine Spannung von etwa 0,6 V und ein Leistung bis zu etwa 5 W.
Die Schaltverluste hängen von der PWM Frequenz und Schaltzeit ab. Bei z.B. 10 kHz und 1 µs wären das etwa 1 % der Leistung also rund 1 W.

Die größte Leistung hätte man für die funktiona als Diode. Das sollte aber auch kaum mehr als die Hälfte der Zeit vorkommen, und nur dann, wenn man die P Fets nicht im PWM takt mit schaltet.

Für den P Fet kann man also mit rund 3 W rechen, höchtens vielleicht 5 W.
Für den N Fet sollte man auf höchstens 1 W (Leitung) + 1 W(Schaltverluste) kommen, also 2 W.
Das sind Leistungen deutlich unter dem maximalwert der FETs, sollte also gut gehen, und den internen Wärmewiderstand kann man auch vernachlässigen.
Wenn man den FETs etwa 60 grad Temperaturerhöhung zumuten will, sollte der Kühlkörper höchstens etwa 20 K/W für den P FET bzw 30 K/W für den N FET haben. Etwas größer schadet beim Kühlkörper aber nicht.

Wenn man einen gemeinsamen Kühlkörper nimmt, muß man nur mit der Leistung von 2 der Transistoren rechnen, die anderen sind ja dann jeweils aus. Auch sollte der ungünstigste Fall dann nicht gleichzeitig auftreten. Da sollte also alles bis etwa 15 K/W gehen.

Der Vorgeschlagene Kühlkörper aus dem Link ist da schon reichlich groß. und alle 4 Transistoren lassen sich da schwer dran montieren.