1) Wird wahrscheinlich nicht so ganz viel bringen. Es muss kein Logic-Level sein. Wichtiger ist wohl die Schaltgeschwindigkeit und der Widerstand im eingeschalteten Zustand ("Rds(on)"). Wobei ich jetzt nicht weiß welche Schaltfrequenz da genutzt wird. Für höhere Schaltfrequenzen benötigt man schnellere MosFETs.
2) Nein, die Spannung wird über das Tastverhältnis am Ausgang des NE555 eingestellt. Wie man das verändert kann ich aus dem Stegreif nicht sagen.
3) Es gibt Programme mit denen das einfach rechnen kann... Such vielleicht mal auf der Website von Micrometals oder Google nach "Mini-Ringkern-Rechner".
4) Nicht direkt.
5) Keine Ahnung.
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