Hallo! saoirse!
Es ist sicher wegen der größerer "Input Capacitance" des IRF7403 (1200 pF) gegen MMFT3055 (500 pf). Der IRF 7402 (650 pF) wäre sicher besser.
Aus deiner Beschreibung lässt sich erkennen, dass der MOSFET, durch zu hoche Ausgangswiderstand des MAX608 nicht ganz gesparrt wird. Die Einfachste Möglichkeit wäre, die Schaltfrequenz zu senken, so weit bis der MOSFET richtig leitet und sperrt.
Sonst müsste man bei dem IRF7403 versuchen den Stromvergrössern, der die Gate Kapazität genug schnell entladen schafft und den MOSFET sperrt. Da das Innere vom MAX608 unbekannt ist, könnte man mit zwei Transistoren versuchen (siehe Code). Der T1 arbeitet nur als Inverter und der T2 stellt den eigentlichen Treiber für den MOSFET dar.
Mann müsste für bekannte Schaltfrequenz ausrechnen bzw. ermitteln den max. Widerstand Rc2 der genug schnell die Gate Kapazität aufladen und den Rc1 dank dessen der T2 die Kapazität genug schnell entleeren kann (Ic2 = ßT2*Ic1). Der T2 muss dabei genug "stark" und eventuell mit Kühlkörper sein. Der sollte Rb1 = ßT1*Rc1 und mit Ck frequenzkompensiert sein, wenn der T1 sehr schnell Schalten sollte.
Es gibt noch weitere Möglichkeiten z.B. ein IC Treiber für MOSFETs.
MfG
Code:
VCC |
+ C|
| C|
+---+ C|
| | |
.-. .-. +---
| | | | D|
Rc1| | | |Rc2 .------|-.
'-' '-' | ||-+ |
| | G| ||<- |IRF7403
Ck | +--------+-||-+ |
| | | | | |
|| | |/ |---1,2| |
+---||--+ +-| T2 |---nF | |
| || | | |> | | | |
| ___ | |/ | | +----+ |
MAX608 >-+-|___|-+-| T1 === '------|-'
|> GND S|
Rb1 | ===
=== GND
GND
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