- LiFePO4 Speicher Test         
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Thema: MosFet über AVR schalten

  1. #11
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    Powerstation Test
    Hallo,

    da bin ich wieder

    Könnte das so funktionieren ? Also ich scheu mich nicht das so mal aufzubauen, aber wenn jemand einen groben Fehler sieht wäre das natürlich hilfreich

    Bild hier  Bild hier  

    Versorgung ist 14V (oben links), V2 ist ein PWM Signal vom AVR.


    Gruß
    Jens

  2. #12
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    Der Widerstand R2 könnte etwas größer. So viel Strom ist da nicht nötig.
    Für weniger Funkstörungen und um sicher zu sein, dass nichts schwingt soll vors Gate noch ein kleiner Widerstand von ca. 10-100 Ohm. Ist vor allem wichtig wenn der Aufbau sonst nicht HF mäßig ausgelegt ist.

  3. #13
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    So, ich habe das jetzt mal mit einem N-FET aufgebaut ... kann es sein das ich einen P-Kanal FET haben MUSS ? Die Gatespannung kommt ja nie höher als die 14V welche auch meine Last hat.

    Den Widerstand R2 habe ich auf 2k2 gesetzt, den Gatewiderstand auf 22R (hatte ich grade da).

  4. #14
    Erfahrener Benutzer Robotik Einstein
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    Wurde Dir doch längst gesagt. Für N-Kanal brauchst Du eine Hilfsspannung um Ugs über Ub, also min. 5V mehr als Deine Ub. Setze einen P-Kanal ein und spare nicht an der Gate-Schutzdiode (Z-Diode mit <20V)

  5. #15
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    Hallo,

    Wenn ich das Datenblatt zum HexFET IRL540N richtig lese ist auch das
    kein Problem damit, oder ?
    [quote]
    du brauchst dann eine Spannung von 5V über Versorgung
    ]

    Das macht man im Allgemeinem mit einem Treiberbaustein.
    Ein P-Fet benötigt das nicht. die gibt es aber imo nicht als logic level-Fets.

    Gruß

    Jens

  6. #16
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    Ich danke Dir, ja ich war ein bisschen verwundert, da ich die obere Schaltung fand (mit einem N Kanal FET). Die Diode ist schon eingeplant

    Edit: Kaum macht man es richtig (P-FET) klappt es auch im LTSpice
    Danke euch. Aber nochwas ... welche Frequenz sollte man denn am besten nehmen ?
    Mein AVR läuft mit 4.8MHz, den Prescaler kann ich auf max. 1024 einstellen.

    Flimmern sollte das ganze natürlich nicht

    Gruß
    Jens

  7. #17
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    Hi Leute,

    so, klappt hervorragend mit einem P-Kanal FET (IRF5305), allerdings
    wird das Ding auch richtig gut heiss. Nach 20min ca. 80°C.
    Für mein Plastikgehäuse def. zu viel.

    Womit kann man Abhilfe schaffen ?
    2 FETs parallel ?
    N-Kanal mit Treiber (da kleinerer R) ?

    Gruß
    Jens

  8. #18
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    Ein 2 ter Fet könnte Abhilfe schaffen. So sehr viel leistung sollte aber auch schon nur 1 Fet nicht verursachen: 5 A * 0,06 Ohm = 0,3 V
    Gibt 1,5 W als Leistung. Da kann der Fet ohne Kühlkörper auch schon recht warm werden. Für 2 Fets sollte das dann aber reichen, zumindest wenn man nicht allzuoft schaltet

    So groß ist der Strom noch nicht, und auch die PWM Frequenz ist nicht so hoch. Da würde ich leiber 2 P kanal Fets nehmen statt ein N Kanal und Treiber mit Hilfsspannung dazu.

  9. #19
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    Danke Dir. Ich schalte mit ca. 260Hz, der IRF5305 meines Testaufbaus ist im TO220 Gehäuse, die fertige Platine soll später 2 x IRFR5305 haben (DPAK).
    Ich dachte an einen N-Kanal da der R ja nur ca. 4mR hat. Wären dann ja nur ca. 0,1W anstelle 1,5W.

  10. #20
    Erfahrener Benutzer Robotik Visionär
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    Wenn man so weit runter gehen will mit der Verlustleisung, dann wäre der N Fet schon eine Alternative. Vielleicht findet man ja auch passende P-Fets mit etwas kleinerm Ron, Eventuell zu Lasten der Spannungsfestigkeit. Beim Aufwand muss man halt vergelichen. Bei sehr kleinem gefordertem Ron wird irgendwann der NFet mit extra Treiber sinnvoll.

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