Der Widerstand ist so klein ausgefallen, um die negative Spannung -0,5 V auf der Gate (G) gegen Source (S) des FETs laut Datenblatt in der Mitte des Linearbereiches festzulegen. Bei Änderung des Widerstandes und somit der S Spannung wird der lineare Bereich der DC Eingangsspannungen aus der Mitte verschoben und damit verkleinert. Man muss davon ausgehen, das die Gatespannung ohne Eingangssignal 0 V ist.

Ich habe schon Datenblätter von einigen leicht erhältlichen (Reichelt, Pollin, usw) HF FETs und MOSFEts angeschaut und bisher nichts besseres gefunden. Für AC Eingangsignale hat man bei der Auswahl des DC Arbeitspunktes volle Freicheit. Vielleicht werde ich mal in dem HF Tastkopf noch den FET mit einem MOSFET mit zwei Gatter (z.B BF1009S von Pollin) ersetzen, weil mit der Änderung der Spannung auf der G2 kann man schön in grossem Bereich den Übertragungsfaktor ändern, was einen Eingangsteiler eliminiert. Und die Eingangskapazität der G1 sollte nur um ca. 1 pF höher als beim BF245A sein, was ich noch akzeptieren kann. Bei einem MOSFET müsste man natürlich ESD beachten , was wahrscheinlich die Eingangskapazität unakzeptabel erhöhen würde.

MfG