Es soll nicht kleinkariert wirken, aber ich will es noch anmerken:
Im Widerstandsbereich des Fet ist ein Drain Source Widerstand RDS messbar.
Der Widerstand der hier zur Bestimmung des Übertragungsverhältnisses eingesetzt wird ist aber der 1/S, der Kehrwert der Steilheit S.
Die Steilheit gibt an, um wie viel sich der Drainstrom im Abschnürbereich bei Änderung der Gate Source Spannung ändert.
Es ist also Uo = ( RL ) / ( 1/S + RL ) * Ui.
Die Werte von RDS (minimaler Wert im Widerstandsbereich) und 1/S werden beide im Bereich von ein paar hundert Ohm liegen, nur wenn der Fet nicht im Widerstandsbereich ist, dann ist es sonst schwer nachzuvollziehen.