Hallo kolisson!

Ein J-FET (junction field effect transistor) unterscheidet sich von bipolaren Transistoren nur damit, dass er anstatt mit Basisstrom gesteuerter Kollector-Emitter Strecke, ein Kanal (Source-Drain Strecke) hat, dessen Widerstand mit elektrischem Feld der Gate gesteuert wird.

Er besitzt aber auch zwei pn-Übergänge (G-S und G-D), die wie bei bipolaren Transistoren als Dioden betrachtet werden dürfen. Bei normalem Betriebsspannungsbereich sind die beiden pn-Übergänge in Sperrrichtung polarisiert und es fliesst kein Gatestrom. Allgemein kann man sagen, dass von Ersatzschaltung ein N-JFET einem n-p-n und P-JFET einem p-n-p Transistor entspricht, wobei G~B, S~E und D~K.

Ich habe durch experimentieren festgestellt das keine "normale" Diode gleiche Abhängigkeit der Spannung von der Temperatur hat, wie diese.

Die thermische Kompensation der in Sperrrichtung polariesierten GS pn-Übergangs von T1 durch in Flußrichtung polariesierten GS pn-Übergang von T2 ist nicht perfekt, aber besser als keine.

Ideal lassen sich zwei JFETs nur kompensieren, wenn sie identische Temperatur und Charakteristik Id = f ( Ugs) haben. Ich würde aber nicht ein paar hundert BF245A kaufen um möglichst zwei gleiche zu finden.

MfG