Hallo!

Die Testen der Eigangstufe mit einem, mit einer Diode kompensiertem FET, haben gezeigt, dass sie sich sehr gut für den DC Tastkopf eignet. Wenn man auf dem S eine Spannung 0V gegen GND einstellt, überträgt sie linear Signale symetrisch gegen GND mit Übertragungsfaktor 0,8. Die nötige gesamte Verstärkung der Folgestufen reduziert sich damit zu 1,25. Ich konnte nur bis +/-3V testen, weil mein Funktionsgenerator leider nicht mehr gibt.

Danach habe ich die thermische Drift kompensiert und dazu verschiedene Dioden verwendet. Bei 1N4148 war TK=+3 mV/K, BAT42 TK=+2 mV/K und bei Germaniumdiode GAY60 TK=-1,5mV/K.

Der zweite Wert ist für mich interessant, weil wenn die Eingangstufe so kompensiert wird, wird es den TK von bisheriger Schaltung (noch ohne T3,T4) deutlich sinken, da die Ausgangstufe ohne Kompensierung TK=-6 mV/K hat (das enspricht -2,4 mV/K am Eingang). Aber die optimale Kompensierung wird erst am Ende noch mal analisiert.

In jedem Fall die FET Eingangstufe bei Ugs=0 V sollte linear sogar höhere Spannungen übertragen können. Deswegen werde ich noch mal zu der Ausgangstufe zurückkommen müssen und versuchen mit kleinerer Verstärkung (Ku=1,25 bzw. Ku=1) die max. Ausgangsspannung ohne Oszillationen rauszufinden.

Vielleicht werde ich doch einen Hub von 6 V rauskriegen und mit Verschiebung der Nullinie die digitale Signale ohne Teilung am Eingang des Tastkopfes zum Oszi übertragen können. Das verlangt aber entsprechende Erhöhung der Versorgungsspannungen, damit alle Stufen den Hub von 6 V übertragen können.

MfG