"vor" und "nach" ist egal, die technische Stromrichtung interessiert nicht, wichtig ist, dass der MOSFET voll durchgesteuert werden muss, im Einschaltzustand also zwischen G und S deutlich mehr als Ugs_th anliegen müssen. Dass dies bei einem N-Kanal mit Source an Masse am einfachsten ist, führt zu den Anwendungen mit "low side"-Schaltern. Ein P-Kanal in der "Plusleitung" ist auch noch recht einfach, aber wenn man einen N-Kanal aufgrund seines niedrigen Rds_on verwenden will/muss und den wegen gemeinsamer Masse o.ä. in der positiven Versorgungsleitung hat (so wie Du bisher), dann muss ein Treiber her, der zB mit Bootstrap-Schaltung oder Ladungspumpe dafür sorgt, dass die Gatespannung immer 10-15V über der Sourcespannung liegt.