Hallo,

vielen Dank für die schnellen Antworten.

Ich wuerde aber einen kleineren Emitterwiderstand von 470R nehmen weil dann die Stromanstiegsgeschwindigkeit ( risetime ) am Gate des MosFET kuerzer ist und die Flanken nicht, unnoetig, verrunden. Wenn Du den Basiswiderstand zu klein machst verrundest Du durch die Uebersteuerung die Falltime.
Ich dachte der Widerstand in Nähe des Kollektors ist der Kollektorwiderstand und nicht der Emitterwiderstand???

Oder verstehe ich da was falsch?