Bei einer Gleichstromverstaerkung von 160 muss der Basiswiderstand ( bei gleicher spannung )logischerweise 160 x so gross sein wie der Emitterwiderstand also 160 x 10k = 1M6 sonst wird der Transistor gnadenlos uebersteuert und braucht zu lange um in den nichtleitenden Zustand zurueck zu kommen. Ich wuerde aber einen kleineren Emitterwiderstand von 470R nehmen weil dann die Stromanstiegsgeschwindigkeit ( risetime ) am Gate des MosFET kuerzer ist und die Flanken nicht, unnoetig, verrunden. Wenn Du den Basiswiderstand zu klein machst verrundest Du durch die Uebersteuerung die Falltime.
Das bedeute das (bei 470R Emitter R) 68k der optimale Basis R ist.
Gruss