ZitierenKurzer Tip:
Gatekapazität und gewünschte Schaltzeit bringen dich zum Ziel !
Hallo zusammen,
Ich möchte eine Schaltung entwickeln und ich weiß nicht wie ich den Basiswiderstand bestimment kann. die Steuerspannung ist 5V und Versorgungspannung ist 12V. Pulldown-widerstand ist 10k. Der Drain-strom ist 3,4A.
kann mir bitte jemanden helfen.
Kurzer Tip:
Gatekapazität und gewünschte Schaltzeit bringen dich zum Ziel !
Gruß
Ratber
wie meinst du das?
kannst du es erklären!!!!
guckst Du hier:
http://de.wikipedia.org/wiki/Zeitkonstante
Gruß
pctoaster
Ja,daraus kann man sich ausrechnen welcher Strom fließen muß damit der FET in der gewünschten Zeit vernünftig durchschaltet.
Ugs ist bekannt und auch alle anderen relevanten Daten spuckt das Datenblatt aus.
Hilfreich ist es im ELKO mal die Relevanten Themen zum FET durchzulesen.
Wenn die schaltzeiten kritisch sind dann wäre ein "Gatetreiber" sinvoll weil man dort mit widerständen nicht mehr weit kommt.
Gruß
Ratber
Hey
Wenn es nicht zeitkritisch ist sagt man doch bei Fets 100 Ohm als Schutzwiderstand (normalerweise würde man keinen benötigen, da ja kein nennenswerter Strom fließ wie bei einem Transistor, sollte der FET aber irgendwie mal durchbrennen so hängt zumindest noch 100 Ohm zwischen MC und Last als kleiner Schutz.)
Btw: Ist das Caddy was Du zum Zeichen benutzt hast?
mfg
Benny
cooming soon...
Das ist richtig aber ich weiß ja nicht was Bob37 vor hat also gehe ich "vom Schlimsten" ausWenn es nicht zeitkritisch ist sagt man doch bei Fets 100 Ohm als Schutzwiderstand (normalerweise würde man keinen benötigen, da ja kein nennenswerter Strom fließ wie bei einem Transistor, sollte der FET aber irgendwie mal durchbrennen so hängt zumindest noch 100 Ohm zwischen MC und Last als kleiner Schutz.)
Gruß
Ratber
Ratber, du lotst ihn doch auf die falsche Fährte?!?
@bob37
Mosfets sind spannungsgesteuert, was dir ein kurzes googlen auch gesagt hätte. D.h. du lädst das Gate wie einen Kondensator auf und ab einer bestimmten Spannung leitet er schlagartig. Die Dimensionierung des Vorwiderstandes ist dabei nicht wichtig, irgendwann ist er ja aufgeladen. Der geschaltete Strom ist egal.
Und dieses "irgendwann" ist auch das größte ProblemJe größer der Widerstand, destso geringer der Strom, destso länger dauert es, bis das Gate aufgeladen ist. Aber wenn der Strom zu groß ist, kommst es zu Effekten wie Ringing (Schwingkreis aus Leiterbahn + Gatekapazität) und deine Steuerquelle wird kurzgeschlossen.
Kurze Anleitung, was du tun sollst:
1. Nachschlagen, welche Steuerspannung (V_GS, logic level) dein Mosfet braucht.
2. Abhängig von V_GS Pegelwandler (google) verwenden, oder direkt schalten.
3. Widerstand abhängig von der Belastbarkeit deiner Schaltquelle wählen. Der maximale Strom darf nicht überschritten werden.
4. Du bist fertig. Wenn du möchtest, kannst du noch die Gatekapazität im Datenblatt nachschlagen und berechnen, wann V_GS beim Laden mit deinem Widerstand überschritten wird. Dann hast du die Zeit für einen Schaltzyklus.
Du kannst auch die Verlustleistung abschätzen: Zeit berechnen, die der Mosfet zum schalten braucht. Für diese Zeit die maximal Mögliche Verlustleistung (U,I) berechnen und ansetzen. Den Rest mit Null bzw. R_DS_on ansetzen.
Zitat von avion23
Hallo ?
Scheinbar bist du im falschen Kino.
Schlagartig leiten tun Tyristoren oder Triacs aber Fets werden Spannungsabhängig leitend.
Was glaubst du warum Gott und die Welt Gatetreiber für schnelle schaltanwendungen nutzen ?
Wenn du das Gate langsam lädst dann wird der Fet entsprechend seiner Kennlinie auch (relativ) langsam leitend und verbrät eben Energie.
Bei etwas höheren strömen ist das dann der sichere Tod für das Bauteil.
Komm mal raus aussem cineplex und geh ins cinedom da sieht man besser
Sicher ,wenn es um einfache Schaltanwendungen geht dann ist die anfallende Verlustleistung ja nur einmalig pro Schaltvorgang und entsprechend unkritisch abzuleiten.
also so einfach ist die Sache nun auch nicht.
Wie gesagt, solange ich nicht weiß was bob37 vor hat...... !!
Gruß
Ratber
Nicht streitenJetzt habe ich das Gefühl mich verteidigen zu müssen. Ich fand meinen Beitrag bis jetzt super.
Weil er nach einem "Basiswiderstand" gefragt hat bin ich davon ausgegangen, dass er das Prinzip nicht 100% verstanden hat. Und die Anwendung sah nach einmaligen schalten aus.
Meine Aussage, dass Mosfets ab einer bestimmten V_GS schlagartig leiten, ist korrekt. Siehe BildSchlagartig leiten tun Tyristoren oder Triacs aber Fets werden Spannungsabhängig leitend.
Was glaubst du warum Gott und die Welt Gatetreiber für schnelle schaltanwendungen nutzen ?
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