Hi!
Also ich hätte da ein paar Kritikpunkte:
- Die MOSFET-Gates vertragen allerhöchstens 20V. Geht die Spannung darüber, wird das Gate (und damit der FET) zerstört. Vor allem bei Q1 musst du z.B. mit einer Z-Diode die Spannung begrenzen (10V ist hier ein guter Wert).
- Der Pullup kommt mir zu klein vor und R9 zu groß. Ich würde für R9 3,9k und für R8 39k verwenden (oder gleich ne kleine Push-Pull Stufe, ist am Sichersten).
- Die Spannungsfestigkeit von Q2 ist zu gering. Wenn S2 offen ist, liegt an ihm die volle Akkuspannung an. Q2 ist außerdem ein N-Kanal FET...ist im Schaltplan falsch geschrieben. Q2 ist auch noch extrem überdimensioniert, er muss ja nur ein paar mA verkraften können. Ein BSN20 oder ähnlich würde reichen.
- Bei Q1 lieber ein wenig Spielraum mit der Spannungsfestigkeit lassen. 30V sind hier etwas knapp, ich würde einen FET mit min. 35-40V verwenden.

Das wären meine Empfehlungen erstmal, mal schaun was die anderen dazu meinen

MfG
Basti