Hallo Che Guevara!

Wenn Du die Basis des Transistors mit GND verbindest und der Transistor immer noch leitet, dann ist er pnp bzw. defekt.

Die Erklärung der Schaltung ist ganz einfach: die Spannung Basis-Emmiter des Transistors soll so eingestellt werden, das er sehr schwach leitet, damit sehr kleine positive Halbwellen der Hochfrequenz-Spannung ihn mehr zum leiten bringen.

Damit es aber stabil mit der Temperatur und sich ändernder Versorgungspannung (Baterie) wäre, habe ich die Diode zur Stabiliesierung der Spannung verwendet.

Wenn der Spannungsabfall auf der Diode höher als die Basis-Emmiter Spannung des Transistors ist, muss sie mit dem Poti P verringert werden. Ich habe die Schaltung zum anderen Zweck benutzt und für Deine Anwendung musst Du sie ein bischen ändern.

Ich habe auch noch vergessen entkopplung Kondesnatoren (Cb) zwischen VCC und GND zu skizzieren. Im Code ist die zweite Version des Empfängers mit einem Poti. Übrigens µ1 bedeutet 0,1 µF. Auf vielschicht Keramikkondensatoren wird es mit 104 kodiert.

Viel Erfolg!

MfG
Code:

                                 VCC
                                  +
                                  |
        +---+---------------------+
        |   |                     |
    Cb --- .-.                   .-.
    µ1 --- | |Rb                 | |R6
        |  | |                   | |1k
       === '-'                   '-'
       GND  |          L          |
            |                     V ->
        +---+     +-UUUUUUU-+     -
        |   |     |         |     |
      D V  .-.    |         |   |/
        - P| |<---+    C/2  +---|
        |  | |    |         |   |>
        |  '-'    |    ||   |     |
        |   |     +----||---+    ===
       === ===    |    ||        GND
       GND GND C2---
               µ1---
                  |
                 ===
                 GND



                  Empfänger