Weil PICture einen MOSFET auf der Highside ansteuern möchte und dazu einen DC/DC einsetzt, der eine auf Source referenzierte Gatespannung erzeugt. Das ist nun wirklich die teuerste Variante ohne jeglichen Schutz.
Ausserdem ist der MOSFET falsch herum gezeichnet, so leitet die Body-Diode immer und der MOSFET noch dazu, wenn der DC/DC unter Strom gesetzt wird.
Mit S und D vertauscht wird ein Schuh draus, aber nachdem Yossarian den BTS empfohlen hat, sehe ich keinen vernünftigen Grund für eine diskrete Lösung mehr. Bei 6 Kanälen an einem Ort könnte man mit einzelnen N-Kanälern mit kleinem Step-Up-Wandler vielleicht ein paar Cent sparen, aber bis das läuft, hat sich die BTS-Version schon bezahlt gemacht.