Wenn Du N-FETs verwendest (damit wird der GND geschaltet), mußt Du darauf achten, daß dieser bei einer Gate-Ansteuerung mit 5V auch 'sauber' durchschaltet. Hex-FETs sind dafür geeignet.
Bei P-FETs benötigst Du zusätzlich einen Transistor, damit der P-FET mit einem Open-Collektor-Ausgang und Pull-Up-Widerstand zu den 12V angesteuert wird, weil sonst immer 12V - 5V = 7V am Gate anliegen und der FET dabei schon durchschaltet.
Als Gate-Widerstand niederohmige ca. 47Ohm zum Schutz des µC einsetzen, falls der FET mal richtig durchknallt.
Alternativ gibt es ICs mit 8 mal Darlington-Transistor 500mA, Basis-Vorwiderstand und Freilaufdiode, die direkt an den µC angeschlossen werden können: z.B. ULN2803A (schaltet GND), UDN 2983A (schaltet Plus).
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