Frage zu Mosfet

[eric101]

Ich hab heut mal ein paar Versuche mit nem Mosfet gemacht und versteh da einiges nicht. Es handelt sich um ein N-Kannal Fet BUZ11. Das läßt sich ja laut Datenblatt mit 5V GS Spannung schalten. An Drain hab ich 12V angeschlossen, Gate 5V und hab die Spannung an Source gemessen und die lag nur bei 2,8V rum. Strom dagegen ist ausreichend vorhanden. Ich hätte eben damit gerechnet, dass die Spannung an Source in etwa 12V beträgt. Kann mich jemand kurz aufklären? danke

[DerWarze]

Ohne wissen wie genau Du den FET beschaltet hast wür ich meine das Du eine datenblattangabe falsch Interpretiert hast. Meines Wissens schaltet der BUZ bei 5V noch nicht durch Die %V sind sicher die Schwellenspannung also die Spannung bei der der FET gerade zu leiten beginnt da hat er natürlich eine recht hohen D-S Widerstand. gib mal 12V ans Gate und er wird voll durchschalten.

[shaun]

Die Vgs(th), die Du meinst, muss -wie der Index gs schon sagt- auch zwischen Gate und Source anliegen!
Am naheliegendsten ist daher die Schalteranwendung in Sourceschaltung, d.h. Source an Masse, Steuerspannung zwischen Gate und Masse anlegen, die Last kommt zwischen +12V und Drain. Dann schaltet er auch, ansonsten folgt Source der Gatespannung um Vgs(th) vermindert.

[eric101]

habs jetzt so gemacht wie shaun es geschrieben hat und so klappts. Die 5V am Gate reichen für über 5A aus. Ich dachte eben ich könne das FET genau gleich schalten wie ein Transistor, da ist es ja egal ob ich die Last zwischen 12V und Collektor oder Emitter und Masse schalte. Nur hat ein Transistor über die Collektor Emitter Strecke einen Spannungsabfall, Das FET kein bisschen.
Is ja dann viel besser so ein FET

[radbruch]

Aber echt

[shaun]

Stimmt nicht so ganz, wenn Du bei einem NPN-Transistor die Last zwischen Ub und Kollektor schaltest, Emitter an Masse, d.h. in Emitterschaltung, fällt nur die Sättigungsspannung an C-E ab, wenn Du ihn als Emitterfolger schaltest, also C an Ub, Last zwischen Emitter und Masse, sieht Deine Last auch nur die Basisspannung minus der B-E-Schwellspannung. Beim MOSFET fällt's nur mehr auf, weil die Ugs_th größer ist als die Ube beim biploaren Transi, ausserdem stark unterschiedlich nach Typ, Exemplar usw., beim Bipolartypen sind's immer so zwischen 0,6 und 0,7V.

[eric101]

alles klar, wieder was gelernt ^^