Schwachstellen MOSFET bzw Transistoren -Überspannung und Co

[PsiQ]

Hallo!
mich würde mal interessieren was für schwachstellen
mosfets und transistoren haben..
also was z.B. beim mosfet passiert wenn die gatespannung zu hoch wird
was passiert wenn die diversen dinger zu hoch werden
Drain - Source
Drain - Gate
Gate - Source
(umpolen ist wegen meistens int. freilaufdioden ja wurscht)

was kaputtmacht (und wie), und was nur momentfehler macht.

Gleiches beim transistor.. bzw isses da gleich?
verpolen?
Spannungen
Basis-Collector
Basis-Emitter
Colector-Emitter

Würde mich so nebenbei interessieren, weil ich will ja auch wissen wogegen/wofür ich da im Fall des FAlles ne Schutzschaltung ranbastel,
bzw um nen Fehler der als Folge von sowas auftritt zu erkennen..

Überlastung&Übertemperatur sei mal aussen vor..
Danke!
Baldiges Wochenende!

[shaun]

Beim MOSFET schlägt bei überhöhter G-S-Spannung das Gate-Oxid durch, die D-G-Spannung ist dabei relativ egal, solange gewährleistet ist, dass G-S im erlaubten Bereich liegt. Zu hohe Spannung zwischen D und S führt irgendwann zu Stromfluss auch im nicht angesteuerten Zustand, wenn dann noch Strom fliessen kann, geschieht Zerstörung durch Überhitzung, wie bei einer Diode, deren Sperrspannung überschritten wird.

Beim Transistor hast Du natürlich keine Isolierschicht, ansonsten gilt dasselbe: Diodenstrecken werden bei Überschreiten der Sperrspannung leitend, Stromfluss vorausgesetzt führt das zu thermischer Zerstörung

[PsiQ]

d.h ich muß zum Beispiel im kfz nur darauf achten,
das das Gate gegen/vor Störimpulse geschützt ist, der Rest geht nur kaputt, wenns auf Dauer zu hohe Spannung bekommt, sollte bei peaks aber nichts ausmachen. Drain-Source hat ja durch die Last noch nen vorwiderstand dran.
Ist das dieser Stromwert der da angegeben wird mit z.B. 250µA ?

Danke!

[shaun]

Nein, der Wert kann nicht angegeben werden, da man in der Praxis nie sagen kann, was beim Durchbruch eines Überganges passiert. Mit Pech reicht die Energie in der D-S-Kapazität für den instantanen Exitus des Bauteils. Auch bei Dioden ist der Durchbruch in Sperrrichtung zu vermeiden. Wenn Du in der Lage bist, (gerade im Kfz!) sämtliche erdenklicken Transienten zu modellieren und die Auswirkung auf die Schaltung zu berechnen, solltest Du Dich umgehend in der Industrie bewerben. Bis dahin mach es so wie alle anderen auch: Supressordioden über D-S- bzw- C-E-Strecken von Steuergeräte-Ausgängen, wo möglich Freilaufdiode über die Last (wenn induktiv), Kapazitäten gegen transiente Überspannungen usw.

[PsiQ]

ähä.. also doch mind. 2 suppressordioden
1x Gate-Source
1x Drain-Source
1x Freilauf Drain-Source
und wo nötig Kondensatoren..

Schade