Wenn Du Deinen MOSFET mit einem Sinussignal steuerst, stimmt Deine Berechung des Blindwiderstandes. Für alle anderen Signalformen ist das falsch.
Du steuerst den MOSFET idealerweise mit unendlich steilen Impulsen (ideal im Sinne des Schaltverhaltens, nicht der Realisierbarkeit und der EMV!). Der intrinsische und äquivalente Gate-Widerstand wird selten angegeben, höchstens wenn Hersteller für ihre Produkte werben als gesicherte Größe genannt (zB für den in etwa mit Deinem MOSFET größenordnungsmäßig vergleichbaren Si4892: 1 Ohm), da beim Design einer Ansteuerung für einen schnellschaltenden MOSFET ohnehin ein trade-off zwischen nötigem Treiberstrom, minimalen Verlusten und minimalen Abstrahlungen gefunden werden muss, also sowieso mit dem Gate-Vorwiderstand experiementiert werden muss.
Bei entladendem Gate, 12V Steuerspannung und 1Ohm Rg_in kannst Du also von einer Spitze bei 12A ausgehen. Der Innenwiderstand und die bei weitem nicht so hohe Stromtreiberleistung der steuernden Transistoren mildern das zwar ab, aber nicht wie es fachlich richtig wäre.
Ich habe gerade 4A-Treiber in einer Applikation eingesetzt (hat nichts mit dem Messgerät aus dem vorigen Posting zu tun, ist für einen Schaltregler), die Verfügbarkeit der Dinger legt nahe, dass dort auch Bedarf besteht...