Wobei man bei direkter Ansteuerung den Strom stärker begrenzen muss (20mA). Dann landet man bei 3.5 us pro Schaltvorgang, also 7us pro Periode, was für 40KHz viel zu langsam ist. Also muss man auch in diesem Fall per Transistor treiben.
Bei 120mA Treiberstrom sind das ca 1.2us pro Periode, also etwas mehr als die halbe Periodenzeit, sprich, das Signal wird zwar "Verschliffen" hat aber pro Pegel mindestens die halbe Zeit den vollen Wert.
Es ist eben nicht umsonst so, dass Leistungsfets mit Treiberstufen angesteuert werden, die bis zu einigen Ampere liefern können.
EDIT: Für 2.7V wäre der Kollektorwiderstand natürlich nur halb so groß (270Ohm).
@Yoss: es ging ja gerade darum, einen MOSFET mit einer enstprechend niedrigen Vgs_th zu finden!!!
Ausserdem ist es bei den angedachten Ansteuerungen nicht Deiner Rechnung getan - immerhin soll das Einschalten über einen entsprechend niedrig ausgelegten Widerstand erfolgen
Hallo
beim IRF7455 ist das nicht viel anders. Für den Vorwiderstand kann man ca. noch mal den gleichen Wert ansetzen, so daß die Steuerleistung ca. bei 20mW liegt.
Mit freundlichen Grüßen
Benno
Wo man nicht mit Vernunft handelt, da ist auch Eifer nichts nütze; und wer hastig läuft, der tritt fehl.
Ein König richtet das Land auf durchs Recht; wer aber viel Steuern erhebt, richtet es zugrunde
Yoss, es geht darum, den FET schnell genug ein- und auszuschalten. Die 7mW helfen nicht, wenn es "ewig" dauert. Deswegen muss ein FET mit einer Spannungsquelle mit möglichst niedrigem Innenwiderstand geschaltet werden.l
Hallo
die Steuerleistung hat doch mit der Schaltgeschwindigkeit nichts zu tun.
Ob ich 100nC mit 100mA in 100ns oder mit 50mA in 200ns lade, ändert nicht das Produkt.
Mit freundlichen Grüßen
Benno
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Ein König richtet das Land auf durchs Recht; wer aber viel Steuern erhebt, richtet es zugrunde
Hey Leute!
Ganz ruhig, Ihr meint bestimmt dasselbe, auch wenn hier und da ein paar Einheiten durcheinander geraten sind:
Je größer der Gatestrom, desto steiler die Flanke und desto kürzer muss der Strom fließen.
Trotzdem ist für den kurzen Moment die abzugebende Leistung für den Treiber natürlich größer, als wenn ein kleiner Strom fließen würde. Denn schließlich hört der Strom ja auf zu fließen, wenn das Gate "voll" ist. Nur, dass das bei geringerem Strom eben länger dauert. Die Energie ist die gleiche, aber nicht die Leistung.
Gruß
Hallo
Die Leistung ist die gleiche. Oder besser gesagt :die mittlere Leistung ist die gleiche.
Es handelt sich hier nicht um lineare Verhältnisse .
Die Leistung kann nur betrachtet werden als Produkt von U*I zum Zeitpunkt t.
Um die mittlere Leistung zu erhalten muß die Integralrechnung angewandt werden.
Gibt es hier Mathematiker, die das vorrechnen könnten?
Mit freundlichen Grüßen
Benno
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Mal nicht zu streiten anfangen hier.
Also der Sinn einer schnellen Ansteuerung eines Mos Fet's ist ja nicht die Gatekapazität zu befriedigen, sondern den Fet möglichst kurz im verlustreichen halbgeöffneten Zustand zu belassen.
Bei einer langsamen, sprich hochohmigen Ansteuerung wird der Fet durch diese Verluste bei entsprechendem Drain Strom merklich mehr Verlustleistung verbraten zumal wir hier ja von 40kHz reden.
Letztlich bestimmt also die geschaltene Last und die Schaltfrequenz ob es noch mit einer relativ hochohmigen Ansteuerung klappt oder ob der Treiber niederohmig ausgelegt werden muß.
Eine niederohmige Auslegung ist prinzipiell für die meisten Anwendungen geeignet verursacht aber einen höheren schaltungstechnischen Aufwand.
Hallo
es spielt für die Steuerleistung keine Rolle wie schnell der FET geschaltet wird.Es spielt auch kein Rolle, ob 10A oder 10mA geschaltet werden (bis auf die Unterschiedlichen Gatekapazitäten, die dabei entstehen).
Im Eingang dieses Disputes ging es um die Steuerleistung, die aufgebracht werden muß.Diese Steuerleistung muß ich in das Gate stecken, damit der FET schaltet.Diese Steuerleistung ist abhängig von der Gateladung, der Steuerspannung und der Frequenz.
Die Verlustleistung des FET ist abhängig von seinem Rdson, dem Laststrom, der Schaltfrequenz und der Schaltgeschwindigkeit.
Mit freundlichen Grüßen
Benno
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Und die Schaltgeschwindigkeit hängt wovon ab? Riiiichtig, von der Eingangskapazität und dem Strom, den der Treiber liefern kann. Übrigens solltest Du mal darauf achten, ob Du jeweils Leistung oder Energie meinst, wird sonst etwas verwirrend.
Worum ging es in diesem Thread eigentlich, und wieso ist der so eskaliert? Ich hatte irgendwo mal zur Vorsicht gemahnt, wenn ein mit 40kHz getakteter MOSFET über einen Arbeitswiderstand in den leitenden Zustand überführt werden soll.
Eigentlich recht sinnfrei die Diskussion: der Fragesteller hat ein 2,5V-Steuersignal mit vermutlich ziemlich stark eingeschränkter Stromtreiberfähigkeit zur Verfügung und suchte einen passenden MOSFET. Sobald ein Treiber welcher Art auch immer akzeptabel ist, muss man sich ja eigentlich nicht länger mit der Suche nach einem low-threshold-MOSFET aufhalten.
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