Geb ich auch noch meinen Senf dazu:

Ich wähle als Grundlage 10 Ohm Als Gate-Vorwiderstand, er begrenzt den Gate-Strom auf ca 1A und erreicht Schaltflanken im Lastkreis von wenigen hundert Nanosekunden. Im Gegensatz dazu sollten diese 10 Ohm hochochohmig genug sein, interne parasitäre Gateschwingungen zu dämpfen.
(sowas kann man mit Switchercad wunderschön darstellen)

Diese Auswahl stellt fur mich einen guten Kompromiss dar.
Die 10 Ohm kann man ja noch nach FET-Typ optimieren.


Zur Verlustleistung im MOSFET:
Der MOSFET hat einen Rth von 50°/W, bei 1W Verluste also 75°C.
Der Rdson steigt mit der Temperatur. Wenn der Laststrom im Mosfet konstant bleibt, erhöht sich also die Verlustleistung und ihm wird es zu heiß. Es ist also dabei die Kurve mit der Temperaturabhängigkeit einzubeziehen.

Gruß Stupsi