Sammlung: H-Brücke

[coolchip]

Das Datenblatt meint bis 4A ist die Ansteuerung mit 4,5V für den IRF1310 ausreichend wenn er unter 25°C beibt. Eine höhere Ansteuerung bis 15V schadet nicht.
Wie soll ich es am besten sagen: Für Unterrrichtszwecke ist ja die Schaltung mit den 10 Transistoren sehr schön, dann hätte ich die anderen beiden auch gleich noch mit reingenommen. Eine Integrierte Schaltung die das ganze zusammenfasst ist für praktische Fälle doch auch ganz nett. Die integrierte H-Brücke ist funktional sicher geeignet, sie ist kaum teurer als die 10 Transistoren und in der Aufbautechnik würde ich sie lieber sehen.
Manfred

Mir ging es ja unter anderem auch darum die ganze Sache mal zu verstehen. Dazu war das mit den Transistoren bestimmt gar nicht so verkehrt. Wenn ich das mal richtig aufbaue kann ich ja dann auf integreirte Treiber ausweichen.
Eine komplett integrierte H-Brücke will ich allerdings nicht verwenden. Ich muss später Leistungen von 20 bis 40 Ampere schalten. Da werden die einfachen H-Brücken ICs nicht ausreichen.

[coolchip]

Wenn du jetzt einen Spannungsabfall von beispielsweise 0,2V maximal hast, und dein ADC einen Bereich von 0-5V hat, dann muss der nichtinvertierende Verstärker eine Verstärkung von 25 haben um den Messbereich komplett auszunutzen. Natürlich muss der uC die Stromstärke/Spannungsabfall wieder entsprechend umrechnen.

So weit klar...

Bei PWM musst du allerdings aufpassen da OpAmps ab einer bestimmten Grenzfrequenz nicht mehr Linear verstärken und die Verstärkung stark abnimmt. Dann stimmt die Messung nicht mehr.
In dem Fall solltest du ein der PWM-Frequenz angepasstes RC-Glied vorschalten. Auch die Messfrequenz mit der du den ADC abfrägst spielt dabei eine Rolle...

Klingt logisch. Verkompliziert das ganze aber auch wieder. Dachte ich nehme da jetzt einfach nur einen OP-Amp, lasse das ganze über einen ADC laufen und frage das ab und zu ab.

Vielleicht mache ich mir das auch zu kompliziert. Ich will eigentlich nur, dass der µC merkt, wenn der Motor blockiert wird (hoher Strom). Dazu brauche ich ja keine supergenaue Strommessung. Oder?

[coolchip]

Und noch eine Frage:
Warum eigentlich immer P-Kanal und N-Kanal verwenden? Ich habe jetzt schon öfter Schaltungen gesehen, die NUR N-Kanal verwenden.
Z.B. hier:
https://www.roboternetz.de/phpBB2/fi..._v2_0e_sch.pdf

[stupsi]

zum Schaltplan oben:
Beim P-Kanal-Mosfet solltest du Drain und Source tauschen, dann wird der Mosfet auch schalten. Es ist auch sinnvoll, den gleichen Treiber für den N-Kanal-Mosfet zu nehmen, (wurde oben von Manf schon erwähnt).

zu P-und N-Kanal:
Vorteil dieser Kombination: einfache Ansteuerung (wie im Bild oben)
Nachteil: P-Kanal-Mosfets sind hochohmiger als N-Kanal- Typen. Bis ca. 50 mOhm bekommt man noch ein komplementäres Pärchen zusammen. Nimmt man N-Kanal-Typen mit einem Rdson von wenigen mOhm, wirst du keinen komplementären P-FET finden. Dann nimmt man die Schaltung aus deinem Link mit der aufwendigeren Ansteuerung.

Gruß Stupsi

[coolchip]

zum Schaltplan oben:
Beim P-Kanal-Mosfet solltest du Drain und Source tauschen, dann wird der Mosfet auch schalten. Es ist auch sinnvoll, den gleichen Treiber für den N-Kanal-Mosfet zu nehmen, (wurde oben von Manf schon erwähnt).

Arrrg.... natürlich! Noch ein Fehler... Hab ihn verbessert.
Aber wieso die gleichen Treiber. Hat mir noch niemand einen Grund dafür genannt.

zu P-und N-Kanal:
Vorteil dieser Kombination: einfache Ansteuerung (wie im Bild oben)
Nachteil: P-Kanal-Mosfets sind hochohmiger als N-Kanal- Typen. Bis ca. 50 mOhm bekommt man noch ein komplementäres Pärchen zusammen. Nimmt man N-Kanal-Typen mit einem Rdson von wenigen mOhm, wirst du keinen komplementären P-FET finden. Dann nimmt man die Schaltung aus deinem Link mit der aufwendigeren Ansteuerung.

Man darf also keine zwei MOS-FETs nehmen die unterschiedliche RdsOn haben? Wieder was gelernt!
Ich finde die Schaltung aus meinem Link eigentlich extrem einfach.
1. Man braucht sich keine Gedanken um komplementäre MOS-FETs zu machen
2. Als Ansteuerung einfach eins von denen ICs für zwei MOS-FETs.
Dachte die hätte irgendwelche Nachteile dadurch, dass sie so einfach ist.

[Manf]

1. Das Datenblatt meint bis 4A ist die Ansteuerung mit 4,5V für den IRF1310 ausreichend wenn er unter 25°C bleibt.

2. Ich muss später Leistungen von 20 bis 40 Ampere schalten.

3. Aber wieso die gleichen Treiber. Hat mir noch niemand einen Grund dafür genannt.

siehe 1.
Manfred

[Manf]

Man darf also keine zwei MOS-FETs nehmen die unterschiedliche RdsOn haben? Wieder was gelernt!

Es ist einfach die Summe der beiden Rds-Widerstände die wirksam ist. Einen von beiden durch teuren Transistor klein zu machen ist wenig effizient.

Dachte die hätte irgendwelche Nachteile dadurch, dass sie so einfach ist.

3,40 Euro

[Hessibaby]

Hi All,

schaut Euch doch mal diesen Link an : http://www.rutronik.com/stm/images/VNH3SP30.pdf

Gruß Hartmut

[coolchip]

@Manf
Ah... ok, jetzt hab ich's kapiert! Vielen Dank!

Also außer der "aufwendigen Ansteuerung" und dem daraus resultierenden Preis (der schon höher ist) hat es keinen Nachteil einfach nur N-Kanal MOS-FETs zu nehmen?
Ich dachte immer, dass bei N-MOS-FETs die Last in den Drain-Pfad rein muss. Das wäre aber bei dem oberen MOS-FET dann nicht der Fall wenn ich nur N-Kanal nehme.

[BlackBox]

Wichtig ist bei Fet die Spannung zwischen Gate und Drain. Die muss bei den Leistungsfets mindestens 10V sein. Um 20V schalten zu können muss der Treiber also 30V (gegen Masse) intern erzeugen. Daher kommt auch der höhere Preis für einen High-Side Treiber bzw. einen kombinierten.

BlackBox