Sieht gut aus, dein Versuchsaufbau.
Das Einkoppeln des Signals auf die Nachbarleitung kann kritisch werden, denn deine H- Brücke (kreuzgekoppelt) hat ja eine Logik, die H auf beiden Eingangs- Signalen verbietet. Gerade bei Übersprechen kann das fatale Folgen haben. Eine H-Brücke aus 2 Gegentakttreibern ist in dieser Hinsicht sicherer.
Mit Eagle- Leiterbreiten hab ich auch ein Problem. Die Idee, eine Lötzinnwurst zu verlegen,ist seeeehr gut, die werd ich wahrscheinlich in meinen Projekten übernehmen.
Gruß Stupsi
Japp, gottseidank koppelt es auf eine unbenutze Leitung ein, d.h. die H-Brücke wird dadurch nicht beeinflusst...aber wenn ich den Motor abschalte, geht das signal soweit hoch, das die H-Brücke drauf anspringt. Bei einem Testprogramm das einfach jede Sekunde Brutal die Bewegungsrichtung ändert passiert das nicht...Zitat von stupsi
Gruß, Sonic
@Stupsi
Da es ja unter anderem auch um die Mosfetansteuerung ging passt meine Frage hier mit rein.
Bei der Ansteuerung wird ja das Gate umgeladen. Je nach dem wie groß die Gatekapazität ist brauche ich einen entsprechenden Strom um dies so schnell wie möglich zu erledigen. Jeder Mosfet hat ja eine bestimmte Rise-Time tf. Sollte man den Strom mindestens so hoch wählen, dass das Gate innerhalb der im Datenblatt angegebenen Zeit umgeladen wird oder besser den Strom wesentlich höher wählen?
BlackBox
Ich heis zwar nicht Stupsi aber ich hoffe ich darf's trotzdem mal versuchen ,-)
Die Risetime des Mosfets ist ja ein Minimumwert, schneller als die t_Rise kann er nicht schalten. Das mit dem Strom ist grundsätzlich richtig, aber eine große Wahl hast du ja nicht. Du willst ja das der Mosfet so schnell wie möglich durchschaltet, also musst du ihm mindestens den minimalen Strom zur Verfügung stellen den er dafür braucht. Wie gesagt er kann ja nur langsamer als t_R, schneller auf keinem Fall, auch nicht mit mehr Strom...Die As-Angabe der Gatekapazität im Datenblatt (Manf hat's am Anfang angesprochen) ist da glaub ich hilfreicher...da hast du ja auch gleich den Zusammenhang zwischen Strom und Zeit...
Gruß, Sonic
Hi,
Ich hab auch noch ein paar Fragen über:
Ich bin grad am Simulieren diverser H-Brückenvarianten. Dabei versuch ich gerade die angesprochenen Umschalteverluste zu minimieren. Aber mir ist aufgefallen, das ich mir in SWCad zwar die Verlustleistung plotten lassen kann, aber ich eigentlich gar nichts damit anfangen kann...
Ich kann die Werte nicht in "OK" und "OhOh" einordnen. Deswegen folgende Fragen:
1. Gibt es einen max. Strom der beim Umladen des Gates fließen darf?
2. Wie integriere ich die ermittelte Kurve (Spannung/Strom) zur reellen Verlustleistung?
3. Darf ich die Werte einfach in Excel laden und den Mittelwert der Verlustleistung bilden, ist das dann ok wenn ich im Mittel 1 Watt Verlust habe und der Mosfet 1 Watt dauerhaft verträgt? gibt es da noch andere Dinge zu beachten....
4. Gibt es allgemeingültige max. Werte?
5. Kann ich das auch in Spice berechnen lassen?
Gruß, Sonic
1 sicher, aber man wird ja niederohmig eine "normale" Spannung ans Gate legen und davon geht der Anschluß nicht kaputt.1. Gibt es einen max. Strom der beim Umladen des Gates fließen darf?
2. Wie integriere ich die ermittelte Kurve (Spannung/Strom) zur reellen Verlustleistung?
3. Darf ich die Werte einfach in Excel laden und den Mittelwert der Verlustleistung bilden, ist das dann ok wenn ich im Mittel 1 Watt Verlust habe und der Mosfet 1 Watt dauerhaft verträgt? gibt es da noch andere Dinge zu beachten....
2 siehe 3
3 thermische Zeitkonstanten,
In ausführlichen Datenblättern steht oft die Impulsbelastbarkeit mit Dauer drin. Wenn die pro Impuls eingehalten wird und auch die Mittlere dann hat man erst mal alles getan.
Manfred
Geb ich auch noch meinen Senf dazu:
Ich wähle als Grundlage 10 Ohm Als Gate-Vorwiderstand, er begrenzt den Gate-Strom auf ca 1A und erreicht Schaltflanken im Lastkreis von wenigen hundert Nanosekunden. Im Gegensatz dazu sollten diese 10 Ohm hochochohmig genug sein, interne parasitäre Gateschwingungen zu dämpfen.
(sowas kann man mit Switchercad wunderschön darstellen)
Diese Auswahl stellt fur mich einen guten Kompromiss dar.
Die 10 Ohm kann man ja noch nach FET-Typ optimieren.
Zur Verlustleistung im MOSFET:
Der MOSFET hat einen Rth von 50°/W, bei 1W Verluste also 75°C.
Der Rdson steigt mit der Temperatur. Wenn der Laststrom im Mosfet konstant bleibt, erhöht sich also die Verlustleistung und ihm wird es zu heiß. Es ist also dabei die Kurve mit der Temperaturabhängigkeit einzubeziehen.
Gruß Stupsi
Ok, soweit klar, aber jetzt han ich noch ne Frage.
Ich hab grad ne H-Brücke nur aus N-Fets gemacht.
Die Nfets sind mit Rdson von 5mOhm angegeben, ich bekomm die aber einfach nicht komplett durchgeschaltet, auch nicht mit diversen Vorwiderstandsänderungen.
Ich schalte das Gate mit Transistoren aus den 12V für die Brücke. Der Widerstand sinkt aber nie unter 200-300mOhm...
Liegt das an der Vds?
Damit komm ich nie unter ca. 11W Verlustleistung, irgendwie bin ich noch nicht ganz durch mit den Mosfets ;-(
EDIT: Hab grad gesehn das Stupsi in seiner H-Brücke 12 ja auch eine Verlustleistung von fast 150W am oberen Mosfet hat, da schein ich ja gar nicht so schlecht zu seinBei der 13 kommt er aber auf knapp 9W, das ist wiederum besser ;-(
Gruß, Sonic
ich übe gerade den Umgang mit Zitaten, krieg ich nicht hin.
Aus dem Switchercad-Thread:
"anbei dein Schaltplan für Switchercad (H-Brücke12)
hab den Schaltplan leicht geändert; dann läuft es etwas besser (H-Brücke13)."
Wenn ich keinen Fehler eingebaut habe, ist H-Brücke12 dein Schaltplan?
Gruß Stupsi
Eine Endstufe die ich entworfen hatte und auch bei mir soweit ganz gut funktioniert. Es sind gleich zwei Endstufen mit Richtungs und Geschwindigkeitssignal (PWM-Signal). Zudem ist noch eine Temparatur-Überwachung und eine Spannungsüberwachung vorhanden. Diese kann per AD-Wandler ausgewertet werden um entsprechende Daten über die Endstufe zu erhalten. Eingesetzt habe ich es in einem kettenbetriebenen Roboter, also mit zwei Motoren, Getrieben und Ketten.
Bild hier
Grüsse Wolfgang
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