Ach mein Posting wird ignoriert? Naja bin ja geduldig.
Also: MOSFETs lassen sich nur in Schaltanwendungen einfach so parallel schalten, im Linearbetrieb sind die Dinger viel zu nichtlinear. Das kann, muss aber nicht gut gehen, und selbst wenn man mehrere bei bestimmten Strömen bzw Spannungen auf ID=f(UGS) selektiert, heisst das noch lange nicht, dass sie sich bei anderen Strömen, DS-Spannungen oder Temperaturen auch daran halten. Dasselbe gilt für IGBT-Module, in denen mehrere IGBT-Chips parallel geschaltet sind.

Was die Temperaturen angeht: willst Du den KK auf Kollektor- bzw Drainpotenzial fahren und dann komplett gegen das Gehäuse isolieren oder hast Du die Iso-Scheiben einfach nur vergessen? Also nochmal mit Iso-Scheiben und Schritt für Schritt:

T(kk)=214W*0,3K/W=64,2K über T(a)
bei 4 Transis a 1K/W + 0,2K/W für Iso: T(j)=64,2K über T(kk)
macht also muntere 128K über Raumtemperatur, bei allem über -3 Grad bist Du also weit von der sicheren Seite entfernt.
Ausgehend davon, dass sich der Strom im IGBT-Modul sehr ungleichmäßig verteilen wird, lasse ich das mal aus, die Temperatur ist so oder so zu hoch.

Mein Tipp: nimm die TIPs, aber mindestens 6 Stück. Abser selbst damit kommst Du noch auf 107K über Umgebung, also solltest Du über einen Trafo mit umschaltbarer Sekundärspannung nachdenken oder einen Lüfter an den Kühlkörper setzen.