ZitierenHallo xkris!
Wenn ich über FET's und MOSFET's gelernt habe, hat es (zum Glück) noch keine Simulationen gegeben. Deswegen kann ich nur das este Teil Deiner Frage beantworten: nein, Du machst keinen Denkfehler.
MfG
Hallo,
ich habe folgende Schaltung (siehe Anhang). Der FET ist ein P-Kanal, selbstsperrend. Das heisst doch, wenn ich am Gate 0V oder eine positve Spannung habe, muesste ich an Drain volle 5V (+Us) messen. Leider werden es nie mehr als 0.6-0.7V , egal welchen P-Kanal MOSFET ich nehme und welche Spannung ich am Gate hab, der MOSFET scheint nie komplett zu sperren. Mit N-Kanal ist alles kein Problem, die funktionieren in der Simulation so wie ich es erwarte. Mache ich jetzt einen Denkfehler oder ist die Simulation fuer den Ars..?
gruss
kristian
Hallo xkris!
Wenn ich über FET's und MOSFET's gelernt habe, hat es (zum Glück) noch keine Simulationen gegeben. Deswegen kann ich nur das este Teil Deiner Frage beantworten: nein, Du machst keinen Denkfehler.
MfG
vertausch mal Drain und Source
ja, du hast recht. Bei P-channel mosfet muss der source anschluss vom potential höher liegen als drain, hab ich grad gelerntZitat von steg14
man lernt doch nie aus...
auf jeden fall vielen dank für die hilfe
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