Zitat Zitat von dirkdiggler
Damit der FET dauerhaft durchsteuert brauche ich eine Gate-Source Spannung von ca. 3V, ich habe dies über einen Spannungsteiler eingestellt.
die meisten FETS sind bei 3V noch nicht voll durchgeschaltet

Zitat Zitat von dirkdiggler
Das Problem ist damit die parsitären Kapaziäten schnell abgebaut werden und mein Signal schnell, rechteckförmig schaltet brauche ich relativ hohe Ströme.
ca. i=Total Gate Charge / t-schalt

”The advantage of using gate charge is that the designer can easily calculate the amount of current required from the drive circuit to switch the device on in a desired length of time because Q = CV and I = C dv/dt, the Q = Time x current. For example, a device with a gate charge of 20nC can be turned on in 20msec if 1ma is supplied to the gate or it can turn on in 20nsec if the gate current is increased to 1A. These simple calculations would not have been possible with input capacitance values.”
aus (http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf)

du wirst aber minimal die im Datenblatt angegebene Fall-Time erreichen können

Beschäftige dich mit den Grundlagen oder gib hier ein paar Daten wie Strom u.s.w. an damit dir jemand was konkretes empfehlen kann