@Shaun
Wenn meinste ?
Nicht von Anfang an mitgelesen? Es ging hauptsächlich um besonders schnelles Schalten, aber 2W statische Verluste sind wirklich nicht so toll. Dein 53ns-MOSFET tut dem Vorhaben aber auch keinen Abbruch, wenn die minimale Schaltzeit sowieso beim Zwanzigfachen liegt.
@Shaun
Wenn meinste ?
Gruß
Ratber
Hallo
es ist doch kein Problem einen vernünftigen FET mit ein paar hundert Kilohertz zu schalten.Auch den Strom dafür bereitzustellen bereitet keine Kopfschmerzen.
Wo man sich ein paar Gedanken machen sollte:das Layout,die Umgebung.
Außerdem will der Dirk nur einen einzelnen (aus)Impuls mit einer definierten Länge starten, also kommt es (für die Verlustleistung) nur auf den RDson an.
Mit freundlichen Grüßen
Benno
Wo man nicht mit Vernunft handelt, da ist auch Eifer nichts nütze; und wer hastig läuft, der tritt fehl.
Ein König richtet das Land auf durchs Recht; wer aber viel Steuern erhebt, richtet es zugrunde
Jein! richtig Schaltverluste spielen keine Rolle.Zitat von Yossarian
Die Durchlassverluste aber ebenfalls nicht.
Wichtig war nur schnelles Schalten um kurze Ausfälle zu simulieren.
hi,
wenn ich die grundfragestellung richtig interpretiere, sehe ich es genau wie schon yossarian vor mir. um für eine zeit bis maximal 40µs vcc nach gnd zu ziehen, würde ich mir relativ wenig gedanken um die kühlung des fets machen. die verlustleistung die im inneren des fets entsteht muss nämlich zunächst einmal die thermische kapazität von junction zu case überwinden.
falls der fet nicht im taktenden betrieb verwendet werden soll, davon gehe ich bei der simulation eines kurzzeitigen ausfalls der versorgungsspannung aus, dauert es also eine gewisse zeit bis die im innernen entstandene wärme nach aussen dringt.
hält man nun eine gewisse schonzeit des fets ein, kann man auf zusätzliche kühlkomponenten verzichten.
zur ansteuerung: spannungsteiler halte ich für eher ungeeignet, da man durch den vorwiderstand die ladezeit der gatekapazität verlängert.
ich würde eine entsprechend dimensionierte push-pull-stufe zur ansteuerung des fets einsetzen. jedoch sollte stets ein geeigneter pull-down-widerstand vor das gate des fet geschaltet werden.
mit integrierten mosfettreibern habe ich selbst noch keine erfahrung gemacht und kann somit leider nichts zu diesem lösungsansatz berichten.
gruß
henrik
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