@BASTIUniversal
Wenn ein FET von einem µC angesteuert wird, empfehle ich immer einen Gate-Vorwiderstand von 100...470 Ohm, damit der µC beim Umladen der Gate-Kapazität nicht immer eins auf die Mütze bekommt. Mit zunehmender Schaltfrequenz, wird das dem I/O-Pin irgendwann zu viel.
Außerdem kann mit Gate-Widerstand der FET ruhig mal 'abfackeln' ohne daß dem µC was passiert.
Ist also sehr zu empfehlen.