Oder man macht eine Diode in Sperrrichtung an den Eingang, wenn man die Schaltung dann falsch polt lässt die Diode nur die Sicherung fliegen und man hat sonst im normalen Betrieb keine negativen Effekte von der Diode (Spannungsfall damit verbundene Leistung usw)
Gruß Philipp
Hallo, mach das doch anders..
Nimm eine Sicherung in Reihe zur Schaltung, und eine Diode Direkt hinter der Sicherung gegen Masse, so gibt es keinen Spannungsverlust. Und bei verpolung knallt sofort die Sicherung Durch, weil der Ganze Strom durch die Diode gegen Masse Geht.
Grüße
Christian
Ja genau so meinte ich das
Das mit der Sicherung ist auch eine gute Idee. Habe jetzt vorerst die 1N5061 eingebaut.
Danke für die zahlreichen Antworten!
Ich würde ja gern die Welt verändern..., doch Gott gibt mir den Quellcode nicht!
Hallo!
@MrQu: Bei FET's ist das mit den Widerständen absolut unnötig, braucht man nur bei Bipolaren Transistoren (also NPN bzw. PNP)! Bei FET's verteilt sich der Strom einwandfrei.
MfG
@BASRIUniversal
Das ist so nicht ganz richtig.
Wenn Du FET´s im "Teillastbereich" betreibst (z.B. Audioendstufe), dann stimmt Deine Aussage.
Da du ja in dem Fall den Widerstand durch das Gate bestimmst und da sind die Toleranzen sehr gering.
Wenn du diese aber voll durchsteuerst (z.B. H-Brücke, Schaltregler), dann gibt es beim "R-ON" sehr wohl größere Toleranzen.
Das fällt jetzt bei ein paar A nicht auf, aber wenn man mal über die 10A kommt dann raucht es unter Umständen gewaltig.
Gruß MrQu
@BASTIUniversal
Wenn ein FET von einem µC angesteuert wird, empfehle ich immer einen Gate-Vorwiderstand von 100...470 Ohm, damit der µC beim Umladen der Gate-Kapazität nicht immer eins auf die Mütze bekommt. Mit zunehmender Schaltfrequenz, wird das dem I/O-Pin irgendwann zu viel.
Außerdem kann mit Gate-Widerstand der FET ruhig mal 'abfackeln' ohne daß dem µC was passiert.
Ist also sehr zu empfehlen.
MfG Karl-Heinz
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aber wenn du beim umladen mit einem Widerstand den Strom begrenst.. kann der Transistor dann überhaupt noch scharf schalten ??
Müsste dann doch irgendwie die Flanken beeinflussen...
Das thema schweift glaube ich ab hehe..
Grüße
Elch
Leute, Leute,
also wenn es auf niedrigen Spannungsabfall geht, dann gibt es nur eine Lösung: einen P-Kanal-Mosfet in die Plus-Leitung.
Das wurde beim Asuro-Erweiterungsboard gleich mit integriert.
Das ist die einzige wahre Lösung, wenn es um minimale Verluste geht.
Gruß
Jürgen
Ne, da seh ich die Diode in Sperrrichtung als die ideale Lösung, wenn es um Verluste geht, dabei gibt es nämlich gar keine.
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