Zitat Zitat von kalledom
Ein häufiger Fehler, daß einem Transistor, der mit +5V angesteuert wird, ein Basis-Vorwiderstand von z.B. 4,7k 'verpaßt' wird:
die Last läuft nur mit halber Spannnung und der Transistor ist am qualmen.
Es wurde ganz einfach der hFE, also die Stromverstärkung des Transistors nicht berücksichtigt und der Transistor in den Regelbereich 'verdonnert'. Bei 4,7k kann nur ein Basisstrom von (5V - 0,7V) / 4,7k = ca. 1mA fließen. Bei einem Transistor mit hFE = 100 wären maximal 100mA Collektor-Strom möglich, wobei der Transistor noch nicht aus dem Regelbereich raus ist und wahrscheinlich heiß wird.
Soll der Collektor-Emitter-Spannungsabfall, der ja für die Verlustleistung verantwortlich ist (P = U * I), gering bleiben, sollte der Transistor mit dem 4-fachen Basisstrom angesteuert werden; das sind bei 100mA Collektor-Strom ca. 4mA = ca. 1k Basis-Vorwiderstand.
Bei einer hFE-Bereichsangabe ist der kleinste, ungünstigste Wert einzusetzen, da ja nicht bekannt ist, welche Stromverstärkung der verwendete Transistor tatsächlich hat.
Tschuldigung das ich den Thread löchere, aber es passt gerade sehr gut.

Also wenn man eine Last von zB. 0,025mA schalten will (LED), so müsste man einen Vowiderstand von 4k7 nehmen. Du sagst, dass der Transistor dann immernoch im Regelbereich wäre und ich dann immer mit dem Faktor 4 rechnen kann?
Bei einer Last von 100mA wären das also nicht 1250 Ohm (hFE=100), sondern 312,5 Ohm.
verstehe ich das richtig?