Hallo franzl,
0,7V ist bei 'normalen' Transistoren die Basis-Emitter-Spannung; das gibt es beim FET nicht.
Der bipolare Transistor wird mit (Basis-) Strom gesteuert, der FET mit (Gate-) Spannung.
Vielleicht meinst Du aber auch die Spannung, die an der Collektor-Emitter-Strecke abfällt (Uce).
Auch beim FET fällt bei Stromfluß an der Drain-Source-Strecke eine Spannung ab, bedingt durch den inneren Widerstand zwischen diesen beiden Anschlüssen. Dieser Widerstand ist im Datenblatt unter Rdson (Widerstand zwischen Drain und Source im eingeschalteten Zustand) angegeben. Dieser Widerstand wird mit zunehmender Gate-Spannung immer kleiner, bis bei einer bestimmten Gate-Spannung der kleinstmögliche Widerstand erreicht ist (siehe Datenblatt). Er liegt bei Leistungs-FET's im Milli-Ohm-Bereich.