Hallo dennisstrehl!
Na das hört sich ja schonmal gut an, damit kann ich weiterdenken! *g*
Ich hab mal aufgezeichnet wie MosFETs in den meisten Fällen als Schalter verwendet werden.
Danke schonmal dafür!
Der N-Kanal MosFET (NMOS) würde bei 0V abschalten und bei 5V den Sensor einschalten. Beim P-Kanal MosFET ist es genau andersherum, 5V ausgeschaltet und 0V eingeschaltet.
Achso, jetzt verstehe ich das Prinzip, danke für die Erleuchtung!
N-Kanal MosFETs haben bei ansonsten gleichen Daten meist einen höheren Rds(on), das hängt mit den unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften der unterschiedlich dotierten Materialien zusammen, deswegen würde ich einen N-Kanal nehmen.
N-Kanal hat einen höheren RDSon und deshalb würdest Du einen (oder meinst Du keinen) nehmen!?
Ich dachte immer je kleiner RDSon, desto besser!?
Logic-Level MosFETs heißen z.B. IRL oder IRLZ.
Achso, also sind die MOSFETs, die Du genannt hast zum größten Teil keine Logic-Level, sondern nur normale, haben aber trotzdem bei 5V einen guten Durchlass.
GUT! ;o)
Ein BC337 mit 20 mA Basisstrom ergibt in der Simulation einen Spannungsabfall von etwa 30mV, wahrscheinlich wird das in Wirklichkeit ewas mehr sein.
Hui, das ist ja doch schon ganz schön kräftig, dann nehme ich wirklich einen FET.
Falls du den idealen MosEFT dafür suchst, nimmst nen IRL1404. Ein Rds(on) von 0,004 Ohm ergäbe einen Spannungsabfall von 0,2mV.
Perfekt, das klingt wie Gold in meinen Ohren! *g*
Nungut, 1,75€ sind schon ganz schön happig, aber ich denke ich werde diesen FET nehmen!
Das ist jetzt aber, wenn ich das richtig sehe, ein NMOS, richtig!?
http://www.irf.com/product-info/data...ta/irl1404.pdf
Für 500mA und 2 Ampere würden auch IRLZ34N reichen. Bei 2 Ampere läge der Spannungsabfall vorraussichtlich ne Ecke unter 100mV (Diagramm im Datenblatt ist da zu Ende),der Transistor würde also gerade mal leicht warm werden.
Das klingt auch nicht schlecht!
http://www.irf.com/product-info/data...ta/irlz34n.pdf

Gut, dann habe ich ja meine FETs zusammen! ;o)
Einen Vorwiderstand am Gate brauche ich ja bei FETs nicht extra, wie bei den "normalen" Bipolar-Transistoren an der Basis!?

Danke nochmals!

Viele Grüße,
Florian