Ich glaube, da muss ich auch nochmal ein paar Vorschläge loswerden.
Von links nach rechts:
Die erste Schaltung nutzt eine Source-Schaltung mit einem P-Kanal MosFET. Der OpAmp muss kein Rail to Rail Opamp sein, die Ausgangsspannung der Schaltung kommt trotzdem sehr nah an die Versorgungsspannungen ran. (bis auf wenige mV)
C1 und R2 bilden ein Verzögerungsglied. Das ist nötig, damit die Schaltung nicht schwingt.
In der zweiten Schaltung wird ein Bipolartransistor in Emitterschaltung verwendet. Der OpAmp sollte hier bis auf max. 0,5V an die positive Versorgunggspannung rankommen, ansonsten wird der Transistor permanent durchgeschaltet und die Spannung am Ausgang beträgt immer Vcc. Ein Spannungsteiler (Eingänge an Vcc und den Ausgang vom OpAmp und den Ausgang an den Transistor) könnte Abhilfe schaffen, die Ausgangsspannung des OpAmps bezogen auf Vcc würde dadurch verringert werden. Auch hier entspricht der Ausgangsspannungsbereich in etwa der Versorgungsspannung. Dieses Verzögerungsglied ist zumindest in der Simulation nicht nötig. Der Vorwiderstand R4 sollte aber noch an die Last angepasst werden.
In der dritten Schaltung wird eine Komplementär-Darlington Schaltung verwendet. Die Ausgangsspannung vom Opamp sollten bis auf 0,5V an Masse heranreichen, ansonsten passiert das gleiche wie in Schaltung zwei. Der LM324 schafft das zwar, sollte man aber nicht als Präzisions-OpAmp bezeichnen. Blöderweise wird hier wieder so ein Verzögerungsglied benötigt. Die Ausgangsspannung reicht hier wieder in etwa von Vcc bis Masse.
Edit: Die Spannungsteiler hab ich nicht mit eingezeichnet, die Eingangspannung entspricht in den jetzigen Ausführungen der Eingangsspannung
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