Frage zu Mos-Fet

**dennisstrehl** · 12.07.2006, 22:48

"(6) Package limitation courrent = 90A

Heißt das das da doch nur 90A drüberlaufen können? "

Ja.

"wenn ich als Gatespannung 7 - 9 V nehme müsste ich auf der sicheren Seite sein oder? "

Je höher die Gatespanung, desto geringer die Verluste. ich würde etwa 15V nehmen.

"hab hier mal ne kleine Schaltung gemacht, würde das so funtionieren? "

Wenn ich mir das so anschau, zweifle ich immer mehr, dass das was wird.
Das mit dem Flip-Flop ist ok. Wozu die Gegentaktendstufe vor dem Transistor? Und wieso soll der T8 die 7V gegen Masse kurzschließen? Ich hoffe der Fehler ist nur in der Zeichnung :\

**shaun** · 13.07.2006, 00:38

Die Gatespannung kann gar nicht hoch genug sein, leider ist das Oxid aber ziemlich dünn, so dass man die (idr) 20V aus dem Datenblatt nicht überschreiten darf. Mit 15V bist Du auf der sicheren Seite, bloß nicht zu tief greifen!
Deine Schaltung funktioniert aber nicht nur wegen des Kurzschlusses zwischen Gate und Source nicht - der Transistor, dessen Kollektor da an 7V hängt, ist und bleibt eine Kollektorschaltung und damit ein Emitterfolger. Am Gate kommst Du also auf bestenfalls 3,8V (je 0,6V Ube der beiden NPNs angenommen).
Die Freilaufdiode fehlt übrigens auch noch!

**PICture** · 13.07.2006, 09:20

Hallo Moritz f.!

Im Code habe ich für Dich einen sauberen und schnellen Schalter skizziert. Die Resistorenwerte sind nicht kritisch und die Spannung +VCC kann natürlich auch höher sein.

MfG

Code:

                                                  VCC=7V
                                              1k   +
                                              ___  |
                                           +-|___|-+
                                      1k   |       |
                                      ___  |     |<
                                   +-|___|-+-----|
                __         4k7     |             |\
          +----|  |        ___   |/                |
          |    |& |o---+--|___|--|                 |
          |  +-|__|    |         |>                +--->Gate
          |  |         |           |               |
        o-+  +-------+ |          ===              |
  +-o--__            | |          GND            |/
  |     o-+  +-------|-+                   +-----|
 ===      |  |  __   |     4k7             |     |>
 GND      |  +-|  |  |     ___             |       |
          |    |& |o-+----|___|------------+      ===
          +----|__|                               GND

            74XXX00

**Moritz f.** · 13.07.2006, 18:27

Hallo,

Vielen dank an PICture für den Plan.

Wegen der 90A Grenze, was passiert wenn man hier für kurze Zeit mehr Strom drüberschickt. Gibt es Erfahrungswerte wie schnell sowas abraucht?

MfG Moritz

**dennisstrehl** · 13.07.2006, 18:43

Überhaupt wird das sehr von der Kühlung abhängen...
Ich denke, ne kurze Überschreitung ist nicht weiter schlimm.
Kommt aber darauf an, wie sehr du die Transistoren an der Leistungsgrenze betreibst.
Bei 175°C sind nunmal keine Pulse mehr drin.

MfG

**PICture** · 13.07.2006, 23:29

Hallo!

Ich bin kein MOSFET Spezialist, denke aber, dass man vielleicht zwei MOSFETS um die Verlustleistung zu halbieren abwechselnd schalten kann . Sie würden quasi paralell durch ein Rechteckgenerator geschaltet.

MfG

**shaun** · 14.07.2006, 01:07

Könnte man zwar, ist aber unüblich. Hier ging es ja zuletzt um das Problem des maximalen Stroms. Das Package Limit von 90A ist ja offenbar ein thermisches, heisst: je nach Wärmewiderstand und -kapazität der involvierten Metallteile ist dieser Strom als Mittelwert über eine mehr oder weniger große erlaubt Periode zu betrachten. Für eine permanente (und ein Anfahrstrom von 200A ist für die Zeitkonstanten, die hier in Betracht kommen quasi permanent) würde ich auf keinen Fall nur einen MOSFET benutzen, entweder ein entsprechendes Modul (teuer, teuer) oder mehrere MOSFETs parallel, von denen jeder einzelne idealerweise den gesamten Spitzenstrom verkraftet, damit der "Sand" nicht gleich durchlegiert, alle zusammen aber locker den Anlaufstrom dauerhaft tragen können. Und dann natürlich mit viel Strom schalten, damit die Stromaufteilung so schnell wie möglich erfolgt!

**Moritz f.** · 14.07.2006, 23:46

Hallo,

@ shaun: tja dann werd ich das wohl so machen müssen.

Kennt jemand einen Mos-Fet der solche Ströme WIRKLICH aushält?

MfG Moritz

**shaun** · 15.07.2006, 01:28

(kurzer Griff zum Briefbeschwerer): CM400HA-24H. Ist aber ein IGBT, 400A, 1200V, kostet so um die 250 EUR. Hmm... was hältst Du von-mal-bei-den-üblichen-Verdächtigen suchen? Dass jetzt jemand den passenden Typ aus dem Kopf parat hat ist bei den Anforderungen eher unwahrscheinlich, hier wird wenn nötig parallel geschaltet. Ich denke, dass das auch für Dich die beste Alternative ist, da die Dinger a) sehr schnell sehr teuer werden und b) in den Modulen, die richtig Strom schalten können auch parallel geschaltete MOSFET- bzw IGBT-Chips sitzen.