Zum Datenblatt VNH3SP30
Im Datenblatt vom VNH3SP30 ist auf den letzten Seiten das Layout beschrieben; dort wird nur auf die thermischen Widerstände der Kontakte eingegangen. Es wird z.B. nicht die Lötfähigkeit der 3 unteren Pads beschrieben. Diese Pads haben auch keine el. Bezeichnung. Daher hab ich das Layout nach Datenblattempfehlungen erstellt, um auf einen Gesamt-Rth von ca. 30°/W zu kommen. Das Layout hab ich beim RN-POWER-V1 trotzdem so gestaltet, das beim Löten im Reflow-Lötofen eine Kontaktierung möglich ist.
Im Gegensatz dazu ist beim MTB75N06 die Lötfahne als Kontakt bezeichnet. Hier liegt die Source auf einem kleinen Pin, der intern so gebondet sein muß, das er die 225A single Pulse und die 75A Dauerstrom aushält, und das wird er auch machen. Beim VNH-Chip sind immerhin 3 Pins pro Anschluss herausgeführt. Hier liegen die Verhältnisse mit ca. 10A pro Pin viel harmloser. Dabei ist zu bedenken, das die Verlustleistung im Bonddraht quadratisch zum Strom ansteigt.
Ein Vergleich mit den dem Heizlüfer von Rathber hinkt aber etwas... hier gelten die VDE-Bestimmungen über die Strombelastbarkeit von Kabeln und deren Kurzschlußverhalten (VDE0100 T.430ff). Hier wird übrigens auch auf das Schmelzlastintegral eingegangen, das bei Kabeln auch berücksichtigt werden muß.
Diese gelten natürlich nicht für das innere eines Chips und deren Kontaktierung. Ein Dauerstrom von ca. 10A pro IC-Pin ist zumutbar, wenn die thermischen Eigenschaften aus dem Datenblatt nicht überschritten werden. Man muß nur ordentlich kühlen.
Interessant dazu ist die Angabe in BTS650-Datenblatt auf Blatt2 unten, Anm.4
http://www.datasheetcatalog.com/data...BTS650-P.shtml
dort erhöht sich der Widerstand des Anschlußpins gegenüber der Befestigungsfahne um 0,7 mOhm.
Wenn wir annehmen, das beim VNH-Chip die gleiche Bondierungstechnik verwendet wird, haben wir bei 10A gerade mal 70mW Verluste im Bonddraht stecken,
das sehe ich als harmlos an und eine Kontaktierung mit den Flächen des VNH-Chips scheint nicht notwendig.
Gruß Stupsi
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