Ok, habe ich verstanden... aber in was für Größenordnungen bewegen wir uns denn nun? Ich habe erwähnt, dass der Transistor nicht per PWM, sondern einfach über einen I/O Ausgang angesteuert wird? Er geht also genau ein mal in Sättigung und legt für die besagten 75ms das Gate auf Masse (bzw. sperrt für selbige Zeit). Wie groß ist denn diese parasitäre Kapazität des Mosfets in etwa?
Wenn ich mal nachrechne: Angenommen der Mosfet schaltet nach 10ms vollständig durch (angenommene Zeittoleranz), dann fließen bei einem 4k7 und 12V 0,002A*0,01sec=0,00002As -> bei 12V entspricht das einer Kapazität von 0,00002As/12V=0,0000016F=1,6µF - Kann das hinkommen? Kommt mir jedenfalls etwas hoch vor...