N-Silicium hat einen besseren Leitwert = kleineren Widerstand, da die freien Elektronen mobiler sind.

(N-dotiertes Silizium ist negativ geladen durch Elektronenüberschuss wegen Dotierungselement aus der 5. Hauptgruppe) die Elektronen bewirken die Stromleitung.

P-dotiertes Silizium leitet schlechter, da hier "Löcher" wandern müssen, also ein Elektronenmangel herrscht. Es ist einfach schwerer Elektrnen von ihrem Platz (Bindung) zu bewegen, als überzählige Elektronen.

Da wie bereits gesagt wurde, die schickt sehr dünn sein muss, spielt hier der Leitwert entscheidend mit.

N-Kanal-MOSFETs haben auch bei gleicher Chip-Größe einen deutlich kleineren Widerstand, als P-Kanal-MOSFETs. (ca. Faktor 2,5 bei MOSFETs)

Hoffe, das passt so.

sigo