@ Sonic zunächst einmal:
1. Abgrenzung Wellenlänge Material Auswahl: Silizium
Bild hier  

2. Optionen bei Silizium Photodioden
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http://www.nano.physik.uni-muenchen..../nav/k8t0.html
Photodiode
Im Wesentlichen pn-Diode, die in Rückwärtsrichtung betrieben wird. Das elektrische Feld in der Verarmungszone dient dazu, photogenerierte Ladungsträger räumlich zu trennen.

Man möchte
hohe Geschwindigkeit => Dünne Verarmungsschicht
hohe Quanteneffizienz => Dicke Verarmungsschicht
schmalbandige spektrale Eigenschaften
Technische Ausführungen
pn-Diode
pin-Diode
Schottky-Diode
Heterojunction-Diode
Avanlanche-Diode (mit internem current gain)
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Auswahl mit/ohne IR Filter und Demodulator.
z.B. preiswerte, leicht verfügbare Typen: ein paar Daten dazu brauchen wir noch
Diode für IR..........SFH 205......................
Universal Diode....BPW 43........................
Transitor...............BPW 40, SFH 309........
Empfänger.............TSOP........................ ...