Ich will nicht darauf bestehen, aber es gibt auch das Bild 10 im Datenblatt nach dem der Fet bei dem Arbeitspunkt von 5V am Gate wie im Bild oben, also mit 400W, in 10ms auf 240K Übertemperatur gegenüber Fet-Gehäuse ist. Dass dabei soetwas wie ein "Klick" auftritt wäre nicht auszuschließen.
In 100ms hätte er dann 360K Übertemperatur gegenüber Fet-Gehäuse und seinen theoretischen Endwert, den er wohl nicht erreicht oder von dem er nicht heil zurückkehrt.
Unabhängig von weiteren Ergebnissen sollte man aufpassen, den Bereich zu meiden. Dann bin ich aber auch mal gespannt was noch herauskommt.
Manfred
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