Hallo

@martin:
Zitat Zitat von martin
Aufgrund der in der Halbleiterherstellung verwendeten Materialien ist es (heute noch) nicht möglich, einen Transistor, FET, o.ä. herzustellen, der einen Spannungsabfall kleiner als ca. 0.5V hat. (bitte korrigiert mich, wenn ich falsch liege) Hierbei ist Germanium wohl immer noch das beste. Allerdings teuer gegenüber Silizium, was ca. 0.6 bis 0.7V hat.
Das ist so nicht ganz richtig: Bei den "normalen" Transistoren hast du recht, aber bei FET's steuerst du über das GATE den Widerstand zwischen SOURCE und DRAIN ( ganz praktische Darstellung ) und, wie Manf bereits geschrieben hat, haben Power-FET's tatsächlich Einschaltwiderstände im mOhm Bereich, so bis 2-3mOhm!!. Damit ist der Spannungsabfall entsprechend nur vom Strom Drain/Source abhängig!

Nein, mein Schaltungsvorschlag ist ein konventioneller Längsregler, siehe Stückliste, keine Induktivität

Gruß
Zumpfel
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frohe Ostern noch...