Modellbauer
04.09.2016, 06:16
Hier eine frage die ich zum Verständnis von Halbleitern sicherheitshalber mal fragen wollte, weil ich denke ich habe da was falsch verstanden:
Also wenn ich eine Diode habe mit einer P-Schicht und einer N-Schicht und diese zusammenbringe, dann haben ich eine Barriereschicht erzeugt welche zB bei Silizium eine Gitter bildet welches die Valenzelektronen vergeben hat und wo Strom nur sehr schwer fließen kann. Und wenn ich von einer Stromquelle mehr Elektronen auf die N-Schicht sende, stoße ich die zusätzlichen durch dotierung verfügbaren Elektronen an und überwinde die schrumpfende Barriere zur P-Seite welche das vorankommen durch ihre dotierung dh die "leeren Stellen" leicht macht.
Wenn ich nun versuche eine positive Spannung an der N-Schicht anzulegen "zieht" es mir die Elektreonen von der Mitte ab und in der P-Schicht geschieht das selbe mit den "leeren Stellen" was an beiden enden eine Schicht schafft die nur schwer Strom fließen läßt dh die Barriere wird größer als zuvor.
Ist diese Darstellung richtig, oder habe ich etwas falsch verstanden?
Also wenn ich eine Diode habe mit einer P-Schicht und einer N-Schicht und diese zusammenbringe, dann haben ich eine Barriereschicht erzeugt welche zB bei Silizium eine Gitter bildet welches die Valenzelektronen vergeben hat und wo Strom nur sehr schwer fließen kann. Und wenn ich von einer Stromquelle mehr Elektronen auf die N-Schicht sende, stoße ich die zusätzlichen durch dotierung verfügbaren Elektronen an und überwinde die schrumpfende Barriere zur P-Seite welche das vorankommen durch ihre dotierung dh die "leeren Stellen" leicht macht.
Wenn ich nun versuche eine positive Spannung an der N-Schicht anzulegen "zieht" es mir die Elektreonen von der Mitte ab und in der P-Schicht geschieht das selbe mit den "leeren Stellen" was an beiden enden eine Schicht schafft die nur schwer Strom fließen läßt dh die Barriere wird größer als zuvor.
Ist diese Darstellung richtig, oder habe ich etwas falsch verstanden?