Denkfehler in MOSFET-Schaltung?!

[MeckPommER]

Hallo liebe Gemeinde,

MOSFETs sind für mich noch ziemlich neu, aber hochinteressant. Ich habe schon 1-2 Testschaltungen aufgebaut, die auch machten was sie sollten.

Anbei meine Schaltung, um Akkus wahlweise an eine Ladeschaltung anzuschliessen. Dazu dienen in der + und - -Leitung jeweils zwei antiseriell geschaltete MOSFETs.

Die beiden oberen und unteren MOSFETs befinden sich jeweils in einem Gehäuse, es handelt sich um IRF7311, die bei 5V schon ausreichend niederohmig sein sollten.

Prüfe ich einen Strang, kann ich gut messen wie mein Ohmmeter bei einem (unbelasteten) Schaltvorgang brav von nahe Null auf nahe unendlichen Widerstand und zurück wechselt.
Der andere Strang tut dies nicht und wedelt je nach Laune irgendwo im Mega- und Kiloohmbereich herum.

Könnte mir jemand erklären, warum dies so ist?

Danke, MeckPommER

[PICture]

Ich nehme an, dass der "-" Pol das 0 V (GND) potenzial ist. Der untere N-MOSFET wird vom µC mit 0 V gesperrt (hochohmig) und mit +5V durchgeschaltet (niederohmig). Dagegen der obere wird immer gesperrt, weil um ihn zum Leiten zu bringen ist höhere Ug (Gatespannung) als vom Akku 1 nötig (UAkku1+Ug), wobei Ug = ca. 5 V.

Wenn man als obere MOSFETs P-Typen nimmt und sie in Gegenphase zum unteren N-MOSFETs steuert, sollte die Schaltung, so wie gewünscht, funktionieren.

Übrigens, ich sehe kein Sinn, wegen innen vorhandenen Dioden, zwei MOSFETs in Serie zu Schalten.

NfG

[MeckPommER]

Der Grund für die beiden Mosfets in Serie ergab sich für mich durch den Umstand, das ich eine Verbindung und Trennung in beide Richtungen brauche. Die Akkus müssen gemessen und geladen werden.
Dazu muss ich auch sagen, das die Zeichnung nicht ganz korrekt ist. In wirklichkeit sind die Akkus in Serie geschaltet und nicht einzeln.

Aber vielen Dank für den Tipp mit der höheren Gatespannung in der oberen Leitung. Diese kann ich aus einem anderen Teil der Schaltung entnehmen und sollte dann ja klarkommen - theoretisch ;-)

Gruß MeckPommER

EDIT:
Da springt mich noch der Gedanke an ... ist es für den Zweck der beidseitigen Trennung und Verbindung eigentlich egal wie die MOSFETs antiseriell verschaltet sind? Also beide Drains oder beide Source verbunden?