Verpolungsschutz mit Diode

[hacker]

Abend,

ich plane mit einer Gleichrichterdiode einen ziemlich einfachen Verpolungsschutz zu realisieren. Jedoch zieht alles zusammen ca. 1,5A oder noch ein wenig mehr. Hällt eine 1N4002 Diode das aus? Ich hab im DB schon geschaut, jedoch kenne ich mich bei Dioden nicht so gut aus und weiss dementsprechend auch nicht, mit welcher Bezeichnung der max. Strom angegeben ist.


Gruss Hacker

[r.moshage]

die 1N4002 kann nur 1A.

[Manf]

z.B. Pollin:
SB360 - 3 A/60 V - 10 Stück
Best.Nr. 140 347 0,70 EUR

[MrQu]

1N5002 = 3 A

Gruß MrQu

[Millenniumpilot]

Hallo,

wobei die von Manf angesprochene SB360 noch den Vorteil hat, das dies eine Schottky-Diode ist. Also weniger Spannungsabfall in Durchlassrichtung aufweist.

[MrQu]

Stimmt richtig!!!

Gruß MrQu

[hacker]

Hallo,

danke für eure Antworten. Ich habe nun für die 1N4002 eine 1N5061 Diode eingebaut. Die kann 2,5A und hatte ich noch im Keller :) I0 ist der max zulässige Strom im DB...habe nun auch noch etwas dazu gelernt.

Gruss Hacker

[FuX]

Dann schalte halt 2 1N4002 parallel. Der Strom teilt sich doch auf

[Manf]

Dann schalte halt 2 1N4002 parallel. Der Strom teilt sich doch aufDas klingt erstmal ganz gut, aber es wird die vorgewärmte Diode bevorzugt und die zweite wird geschont. [-X
Manfred

[MrQu]

@FuX
Da muß ich "Manf" recht geben!

Der Innenwiderstand des P/N Überganges ist nie gleich.
Da bedeutet die Diode mit dem geringeren Widerstand muß mehr Strom aufnehmen. Dadurch wird diese Wärmer als die andere.
Durch diese Erwärmung wird der Innenwiderstand noch kleiner und der Strom noch größer. Und so weiter...

Im Extremfall arbeit nach einer Weile quasi wider nur eine Diode und diese geht dann drauf.

Deshalb macht man es bei Enstuffen, bei denen mehrere FET´s parallel betrieben werden so, daß man am Ausgang einen kleinen Leistungswiderstand hinbaut (z.B. 0,05 - 0,1 Ohm bei ...W).

Dieser Widerstand sollte einen Tick höher sein als der Max. ON-Widerstand der FET´s, somit erreiche ich das alle Innenwiderstände min. diesen Widerstandswert haben.
Somit sind alle Widerstände in der Endstuffe gleich und der Strom teilt sich wirklich auf.

Gruß MrQu

[ba4_philipp]

Oder man macht eine Diode in Sperrrichtung an den Eingang, wenn man die Schaltung dann falsch polt lässt die Diode nur die Sicherung fliegen und man hat sonst im normalen Betrieb keine negativen Effekte von der Diode (Spannungsfall damit verbundene Leistung usw)

Gruß Philipp

[Elch2001]

Hallo, mach das doch anders..
Nimm eine Sicherung in Reihe zur Schaltung, und eine Diode Direkt hinter der Sicherung gegen Masse, so gibt es keinen Spannungsverlust. Und bei verpolung knallt sofort die Sicherung Durch, weil der Ganze Strom durch die Diode gegen Masse Geht.
Grüße
Christian

[ba4_philipp]

Ja genau so meinte ich das

[hacker]

Das mit der Sicherung ist auch eine gute Idee. Habe jetzt vorerst die 1N5061 eingebaut.

Danke für die zahlreichen Antworten!

[BASTIUniversal]

Hallo!
@MrQu: Bei FET's ist das mit den Widerständen absolut unnötig, braucht man nur bei Bipolaren Transistoren (also NPN bzw. PNP)! Bei FET's verteilt sich der Strom einwandfrei.

MfG

[MrQu]

@BASRIUniversal

Das ist so nicht ganz richtig.

Wenn Du FET´s im "Teillastbereich" betreibst (z.B. Audioendstufe), dann stimmt Deine Aussage.

Da du ja in dem Fall den Widerstand durch das Gate bestimmst und da sind die Toleranzen sehr gering.

Wenn du diese aber voll durchsteuerst (z.B. H-Brücke, Schaltregler), dann gibt es beim "R-ON" sehr wohl größere Toleranzen.

Das fällt jetzt bei ein paar A nicht auf, aber wenn man mal über die 10A kommt dann raucht es unter Umständen gewaltig.

Gruß MrQu

[kalledom]

@BASTIUniversal
Wenn ein FET von einem µC angesteuert wird, empfehle ich immer einen Gate-Vorwiderstand von 100...470 Ohm, damit der µC beim Umladen der Gate-Kapazität nicht immer eins auf die Mütze bekommt. Mit zunehmender Schaltfrequenz, wird das dem I/O-Pin irgendwann zu viel.
Außerdem kann mit Gate-Widerstand der FET ruhig mal 'abfackeln' ohne daß dem µC was passiert.
Ist also sehr zu empfehlen.

[Elch2001]

:-) aber wenn du beim umladen mit einem Widerstand den Strom begrenst.. kann der Transistor dann überhaupt noch scharf schalten ??
Müsste dann doch irgendwie die Flanken beeinflussen...

Das thema schweift glaube ich ab hehe..
Grüße
Elch

[JuergenHrob]

Leute, Leute,

also wenn es auf niedrigen Spannungsabfall geht, dann gibt es nur eine Lösung: einen P-Kanal-Mosfet in die Plus-Leitung.

Das wurde beim Asuro-Erweiterungsboard gleich mit integriert.

Das ist die einzige wahre Lösung, wenn es um minimale Verluste geht.

Gruß

Jürgen

[ba4_philipp]

Ne, da seh ich die Diode in Sperrrichtung als die ideale Lösung, wenn es um Verluste geht, dabei gibt es nämlich gar keine.

[kalledom]

@Elch2001
Kannst Du Dir vorstellen, daß bei dem Vorschlag mit Sicherung und Diode die Diode 'durchknallt' und die Sicherung nicht ? Was passiert dann ?

Was bedeutet bei Dir 'scharf schalten' ?
Wenn Du Schalt-Frequenzen mit 1MHz ... 100kHz ... 10kHz meinst, ist ein Gate-Treiber erforderlich, weil der Umlade-Strom sehr hoch sein muß und der µC das nicht schaffen kann.
Bei 5kHz ... 1kHz ... 100Hz spielen die 100...470Ohm zu den wenigen Pikofarad 'im Gate' keine nennenswerte Rolle.

[Elch2001]

die Diode Knallt so schnell nicht durch :-) Natürlich muss man die Diode entsprechend Dimendionieren. nicht eine 20A Sicherung, und eine SMD Diode
Wenn du ne Flinke Sicherung nimmst, 1,5 A und ne 1N4007 Passt das schon, und wenn du dir nicht socher bist probierst das eben vorher an einer Sicherung aus, die sind ja nun nicht gerade teuer.

[Manf]

1N4002 :........................................20ms 25A
Flinke Feinsicherung 1,5A : .......... 20ms 15A
Wenn man die Diode auch mit auswechselt könnte es gehen. O:)
Manfred

http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=1N4002
http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrische_Sicherung