Solarzelle

[hacker]

Hallo,

wisst ihr, wieso die n-Schicht bei einer Solarzelle oben ist? Es könnte doch genau so gut die p-Schicht oben liegen, oder? Google spuckt das nicht aus.

Vielen Dank schonmal.

Gruss Hacker

[Elektronikus]

Hi,
die n-schicht muss ja sehr dünn sein damit das sonnenlicht auf die sperrschicht trifft wo es dann den inneren lichtelektrischen effekt(glaub das es so heißt) auslöst.

falls ich zu ungenau war einfach nachfragen ;)

mfg
DAvid

[oc2k1_]

Teoretisch könnte man auch eine Solarzelle aus einem N Substrat mit einer dünnen P Schicht herstellen, jedoch haben P und N Substate sehr verschiedene eigenschaften. So kann man sagen, das ein N Substrat mit freien Elektronen besser leitet als ein P Substrat mit gleich vielen Löchern. Da die N Schicht dünn sein muss wird sie als obere schicht verwendet. Das gleiche kann man auch bei MosFET beobachten: Die N Kanaltransistoren sind leichter herzustellen und meist etwas leistungsfähiger...

[hacker]

Da die N Schicht dünn sein muss wird sie als obere schicht verwendet

Kann man dann die p - Schicht nicht dünn machen oder wie? Wieso nicht? Was ist bei der n - Schicht leichter zu fabrizieren?

Gruss Hacker

[oc2k1_]

klar kann man auch eine dünne P schicht herstellen, aber mit der N Schicht geht es einfach besser

[hacker]

ahja..bissle schwammig oder? Was soll denn da besser gehn? Irgentein Vorteil muss das ja den Entwicklern versprochen haben?!

[sigo]

N-Silicium hat einen besseren Leitwert = kleineren Widerstand, da die freien Elektronen mobiler sind.

(N-dotiertes Silizium ist negativ geladen durch Elektronenüberschuss wegen Dotierungselement aus der 5. Hauptgruppe) die Elektronen bewirken die Stromleitung.

P-dotiertes Silizium leitet schlechter, da hier "Löcher" wandern müssen, also ein Elektronenmangel herrscht. Es ist einfach schwerer Elektrnen von ihrem Platz (Bindung) zu bewegen, als überzählige Elektronen.

Da wie bereits gesagt wurde, die schickt sehr dünn sein muss, spielt hier der Leitwert entscheidend mit.

N-Kanal-MOSFETs haben auch bei gleicher Chip-Größe einen deutlich kleineren Widerstand, als P-Kanal-MOSFETs. (ca. Faktor 2,5 bei MOSFETs)

Hoffe, das passt so.

sigo

[hacker]

Das war gut erklärt! Danke ! :)

Gruss Hacker